半導(dǎo)體技術(shù)是當(dāng)今世界*有活力的技術(shù)領(lǐng)域，通常認為集成電路是半導(dǎo)體技術(shù)的核心，它的發(fā)展及其在各個領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，極大地推動了科學(xué)技術(shù)的進步和經(jīng)濟增長，各國都把集成電路產(chǎn)業(yè)作為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)來對待，其技術(shù)水平的高低和產(chǎn)業(yè)規(guī)模的大小已成為衡量一個**技術(shù)、經(jīng)濟發(fā)展和國防實力的重要標(biāo)志。為此各國競相投入大量的人力、物力和資金 ，促進其發(fā)展。我國亦不例外，出臺各種優(yōu)惠政策，集中有限資金，傾力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，并依靠應(yīng)用半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)的電子信息技術(shù)改造現(xiàn)有的傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，促使國民經(jīng)濟跨越式發(fā)展。
半導(dǎo)體是一個產(chǎn)業(yè)鏈
在各種鼓勵政策的扶持下，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境得到改善，產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴張。近幾年來在各地具體優(yōu)惠政策激勵下，通過引資，外資、合資企業(yè)紛紛進入國內(nèi)建立技術(shù)先進的集成電路企業(yè)(包括IC晶圓制造、IC封裝測試、IC設(shè)計)，大大縮短了我國集成電路設(shè)計、制造技術(shù)與先進發(fā)達**之間的差距，建成了一批與世界集成電路主流技術(shù)(8英寸0.25μm/0.18μm)一樣的制造企業(yè)。同時也形成了長江三角洲、珠江三角洲和京津地區(qū)為代表的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)熱區(qū)。
世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史告訴我們：要做大做強我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，必須要堅持不斷地創(chuàng)新，有自主的知識產(chǎn)權(quán)，自己的核心技術(shù)。為了使我國集成電路產(chǎn)業(yè)更加健康、有序、快速發(fā)展，有關(guān)部、委正在研究、制定產(chǎn)業(yè)發(fā)展條例，把集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展納入法制的軌道。根據(jù)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的實際和發(fā)展?fàn)顩r，建議不宜籠統(tǒng)提集成電路產(chǎn)業(yè)，而應(yīng)提半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更為確切，發(fā)達**都把半導(dǎo)體作為一個產(chǎn)業(yè)鏈來對待，并對整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)給以優(yōu)惠政策，促進其快速成長和發(fā)展。
重視半導(dǎo)體分立器件發(fā)展
長期以來半導(dǎo)體分立器件一直被排除在扶持、優(yōu)惠政策之外，這樣不利于半導(dǎo)體分立器件的持續(xù)發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展始于分立器件，集成電路的發(fā)明和發(fā)展離不開分立器件，在集成電路高度發(fā)展的**，分立器件在世界半導(dǎo)體市場中，每年的銷售額仍平穩(wěn)增長，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大。
國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展也是如此，且以大大高于世界增長率水平向前推進，并已開始進入國際市場，據(jù)海關(guān)統(tǒng)計2005年半導(dǎo)體分立器件出口數(shù)量和金額分別為1786.9億只和41.8億美元，比2004年分別增長24.9%和72%。但是我國半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品的檔次不高，大部分是中、低檔產(chǎn)品和代工產(chǎn)品收入。
據(jù)海關(guān)統(tǒng)計，2005年我國半導(dǎo)體分立器件進口數(shù)量和金額分別為2054.3億只，110.2億美元，比2004年分別增長18.6%和48.5%。這些產(chǎn)品大多數(shù)是高檔的分立器件產(chǎn)品，其技術(shù)含量以及制造工藝難度都不亞于超大規(guī)模集成電路(VLSI)。VDMOS、IGBT等產(chǎn)品就是采用VLSI的微細加工工藝技術(shù)制作的，國外生產(chǎn)這些產(chǎn)品的工藝線已向8英寸發(fā)展，光刻線也從微米向亞微米級發(fā)展，從而使IGBT尺寸縮小了80%，大大提高了電流密度，因此，認為分立器件技術(shù)含量很低，這是一種誤解，應(yīng)予以澄清，使我們對半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)有一個清醒的認識。
為什么我國高端分立器件產(chǎn)品遲遲上不去或不能形成批量生產(chǎn)能力，原因在于這些產(chǎn)品的含量高，制造難度大，我國在技術(shù)上與國外存在較大差距。因此，國內(nèi)分立器件必須提升自己的設(shè)計、工藝水平，提高創(chuàng)新能力，至于批量生產(chǎn)又要增加較多微細加工設(shè)備，投資較大，沒有一定的優(yōu)惠扶持政策，企業(yè)的發(fā)展是艱難的。
集成電路發(fā)展，從小規(guī)模集成(SSI)開始，經(jīng)中規(guī)模集成(MSI)、大規(guī)模(LSI)，發(fā)展到超大規(guī)模集成(VLSI)，目前已進入特大規(guī)模(ULSI)和甚大規(guī)模(GSI)，單片集成電路可越過10億個元器件。也許人們會誤解，分立器件會被淘汰，會被集成電路所替代，實際上半導(dǎo)體分立器件以它在電子信息技術(shù)應(yīng)用中的獨特地位和作用，是不可替代的。在大功率，大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域，它起著無法替代的關(guān)鍵作用，是信息系統(tǒng)的核心部件。
事實上，集成電路的應(yīng)用離不開分立器件的配合。在近代無線通信中，接收系統(tǒng)的前端、發(fā)射系統(tǒng)的末端都離不開高性能的半導(dǎo)體分立器件，否則談不上現(xiàn)代無線通信。如一些手機中基帶部分就使用了9只分立器件；射頻部分用了低噪聲晶體管、數(shù)字晶體管、檢波管等分立器件。
迫切需要形成統(tǒng)一產(chǎn)業(yè)政策
我國是一個能源緊缺的**，目前所有的能源中，電力能源約占40%，而電力能源中有40%是經(jīng)過電力電子設(shè)備的轉(zhuǎn)換才能到達使用者手中。其中55%以上是用在馬達和馬達控制方面，20%用在照明。如果在馬達、馬達控制、照明中應(yīng)用電力電子技術(shù)去轉(zhuǎn)換，人類*少可以節(jié)省約1/3的能源，相當(dāng)于840個發(fā)電廠發(fā)出的電能。由此可以看出，電力電子技術(shù)與節(jié)能密切相關(guān)，而電力電子核心是電力電子器件，正因為有了新型高端功率分立器件——功率MOSFET、IGBT、MCT(MOS控制晶閘管)，電力電子技術(shù)才有**這樣的發(fā)展，才可以用“弱電”去控制“強電”，這里功率半導(dǎo)體分立器件起到了不可替代的關(guān)鍵作用。
由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展因資金投資密集，在硅周期低潮時，除市場引導(dǎo)型企業(yè)外，IDM企業(yè)很難逃脫虧損的厄運，故產(chǎn)業(yè)鏈逐步細化而形成了設(shè)計、芯片制造、封裝測試三大塊，但隨著三大塊技術(shù)的日益發(fā)展以及三大塊之間技術(shù)滲透與高密度封裝的需求，已很難把傳統(tǒng)意義的三大塊完全區(qū)分，界限已趨模糊。以晶圓級封裝(WLCSP)工藝為例，它將半導(dǎo)體制造技術(shù)與高密度封裝技術(shù)有機結(jié)合在一起，由此可以獲得真正與芯片尺寸大小一致的CSP封裝，降低了單位芯片的生產(chǎn)成本。
因此在制定產(chǎn)業(yè)發(fā)展條例時，應(yīng)考慮以中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為出發(fā)點，同時兼顧到與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有密切關(guān)系的半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體專用設(shè)備和測試儀器，促使他們的發(fā)展。今年以來，硅材料的緊缺(主要原因是多晶硅的緊缺)，半導(dǎo)體封裝業(yè)尤其是短小輕薄型器件產(chǎn)能的短缺，使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展受到影響，這個例子充分說明了制定整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展條例的必要性、迫切性，早日形成統(tǒng)一的產(chǎn)業(yè)政策，才能使中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到持續(xù)、健康的發(fā)展。